Souhrn
Podle reportu agentury Reuters vyvinula Čína v utajeném laboratoři v Shenzhen prototyp extrémně ultrafialové (EUV) lithografické soustavy, který generuje světlo o vlnové délce 13,5 nm pomocí metody laser-produced plasma (LPP) podobné systémům holandské firmy ASML. Systém byl dokončen na začátku roku 2025 v silně střeženém zařízení, kde zaměstnanci pracovali pod falešnými identitami, aby se projekt neodhalil. Očekávají se prototypy čipů v roce 2028, avšak analýza naznačuje, že soustava ještě nedokáže vyrábět funkční obvody a vyžaduje další vývoj.
Klíčové body
- Prototyp dokončen v Shenzhen na začátku 2025, zabírá celou tovární halu.
- Používá LPP metodu s cínovými kapkami o průměru 25–30 mikronů, generovanými rychlostí 50 000 za sekundu.
- Generuje EUV světlo 13,5 nm, ale nedokáže dosáhnout potřebné expozice pro výrobu čipů.
- Pravděpodobný reverse engineering skenerů ASML, nikoli domácí metody jako SSMB z Tsinghua University nebo DPP z Harbin Institute of Technology.
- Prototypy čipů plánovány na 2028, což by znamenalo rychlý pokrok oproti desetiletím vývoje ASML.
Podrobnosti
Tajné laboratoř v Shenzhen, které zabírá téměř celou tovární plochu, sestavilo prototyp EUV lithografické soustavy na základě reverzního inženýrství stávajících skenerů od ASML, jediného dodavatele těchto systémů na světě. ASML, nizozemská společnost specializující se na lithografická zařízení pro polovodičovou výrobu, vyvinula své Twinscan NXE stroje po více než 20 letech výzkumu a investic v miliardách eur. Jejich LPP metoda funguje tak, že do vakuové komory vstřikuje cínové kapky o velikosti 25–30 mikronů rychlostí přibližně 50 000 za sekundu. Vysokovýkonný CO₂ laser nejprve vystřelí slabou předimpuls, která kapku sploští do diskového tvaru, následně hlavní impuls plazmu ionizuje a vytváří EUV světlo potřebné pro expozici fotorezistů při výrobě čipů s taktními velikostmi pod 5 nm.
Čínský prototyp tento proces napodobuje, což potvrzuje použití LPP místo alternativních domácích přístupů, jako je steady-state microbunching (SSMB) vyvíjené na Tsinghua University pomocí částicového urychlovače nebo discharge-produced plasma (DPP) z Harbin Institute of Technology. To naznačuje přenos technologií z ASML, možná získaných nelegálně kvůli americkým a nizozemským sankcím, které od roku 2019 blokují export EUV systémů do Číny. Zaměstnanci laboratoře dostali falešné identifikační karty, aby se zabránilo detekci projektu. Navzdory generování EUV světla však soustava nedosahuje dostatečné intenzity ani stability pro reálnou lithografii – chybí optimalizované optické systémy, masky a rezistory schopné pracovat s takovým světlem. Report Reuters vychází z informací od anonymních zdrojů v čínském polovodičovém průmyslu, což vyvolává pochybnosti o rychlosti pokroku: překonat desetiletí vývoje za několik let by vyžadovalo souběžné průlomy v optice, laserech, vakuu a materiálech.
Proč je to důležité
Pokud se report potvrdí, znamenalo by to, že Čína se blíží k soběstačnosti v výrobě pokročilých čipů (3 nm a menší), což je klíčové pro AI akcelerátory, vysokovýkonné procesory a vojenské aplikace. ASML drží monopol na EUV, který umožňuje firmám jako TSMC, Samsung nebo Intel vyrábět špičkové čipy; čínské SMIC je omezeno na 7 nm bez EUV. Domácí EUV by umožnilo Číně obejít sankce, posílilo její pozici v globálním dodavatelském řetězci polovodičů a urychlilo vývoj domácích AI modelů nebo superpočítačů. Nicméně jako expert v IT a polovodičích vidím v reportu známky přehánění: generování EUV světla je dosažitelné, ale plná lithografie vyžaduje tisíce hodin testování a miliardy na kalibraci. Skutečný průlom by trval roky, podobně jako u ASML, a 2028 termín je optimistický. To posiluje geopolitické napětí v tech sektoru, kde USA tlačí na omezení čínského přístupu k technologiím.
Zdroj: 📰 Tom’s Hardware UK
