📰 GlobeNewswire

Nearfield Instruments spustil víceletý vývojový projekt na zlepšení metrologie pro polovodiče

Nearfield Instruments spustil víceletý vývojový projekt na zlepšení metrologie pro polovodiče

Souhrn

Společnost Nearfield Instruments, specializující se na 3D nezničující kontrolu výrobních procesů pomocí technologie skenovací sondy, zahájila víceletý vývojový projekt ve spolupráci s belgickým výzkumným centrem imec. Cílem je vyvinout nové metrologické metody pro nejmodernější technologie výroby čipů, včetně High-NA EUV litografie, 3D logických obvodů a heterogenní integrace.

Klíčové body

  • Nasazení systému QUADRA v imecově výzkumném centru v Leuvenu.
  • Zaměření na metrologii pro High-NA EUV litografii a charakterizaci fotorezistů.
  • Vývoj 3D profilování pro pokročilé logické čipy, zejména CFET (Complementary Field-Effect Transistors).
  • Zlepšení inspekce pro 3D heterogenní integraci a hybridní bonding pomocí technologie ULSA.

Podrobnosti

Nearfield Instruments nasadí svůj vlajkový systém QUADRA v imecově pokročilém výzkumném zařízení. Společně budou vyvíjet řešení pro tři klíčové oblasti: metrologii pro High-NA EUV litografii, 3D profilování logických zařízení a metrologii pro heterogenní 3D integraci. Pro High-NA EUV bude využita proprietární metoda FFTP (High-Aspect-Ratio imaging mode), která umožňuje 3D charakterizaci fotorezistů a zvyšuje produktivitu expozicních strojů. U pokročilých logických čipů, konkrétně CFET, bude QUADRA využívat speciální režim pro zobrazování bočních stěn struktur s vysokým poměrem výšky a šířky. V oblasti 3D integrace se zaměří na kontrolu měděných kontaktů, drsnosti dielektrik, eroze, deformací povrchu (dishing) a celoplošného zobrazování čipů díky technologii Ultra-Large Scanning Area (ULSA), která kombinuje vysokou propustnost s nanometrovým rozlišením.

Proč je to důležité

Tento projekt řeší kritické výzvy výroby polovodičů na hranici fyzikálních možností. S postupným přechodem na High-NA EUV a 3D architektury jako CFET nebo hybridní bonding roste náročnost metrologie – tradiční optické metody již nestačí. Nearfield Instruments nabízí alternativu založenou na skenovací sondu, která umožňuje přesné 3D měření bez poškození vzorku. Spolupráce s imecem, jedním z nejvlivnějších výzkumných center v oblasti polovodičů, posiluje důvěru v technologii a urychluje její nasazení v průmyslu. Pro výrobce čipů to může znamenat vyšší výnosy, rychlejší vývoj nových procesů a lepší kontrolu kvality na úrovni nanometrů.


Číst původní článek

Zdroj: 📰 GlobeNewswire

Číst původní článek
Původní název: Nearfield Instruments Signs Multi-Year Development Project to Advance Semiconductor Metrology