Souhrn
Samsung Electronics zahájil hromadnou výrobu pamětí HBM4, které nabízejí rychlosti přenosu dat 11,7 až 13 Gbps, propustnost 3,3 TB/s na stack a kapacity od 24 GB do 48 GB. Firma dodává první komerční produkty zákazníkům a stává se tak průkopníkem v tomto segmentu, což ovlivní výkon budoucích AI a datacentrových systémů.
Klíčové body
- Rychlost pinů: 11,7–13,0 Gbps (o 46 % vyšší než standardních 8 Gbps pro HBM4).
- Propustnost: 3,3 TB/s na stack.
- Kapacity: 24–36 GB v 12-vrstvové konfiguraci, 48 GB v 16-vrstvové.
- Výrobní proces: 10nm třída DRAM (1c) s 4nm logikou, 2048 pinů I/O.
- Efektivita: 40 % úspora energie, 10 % lepší tepelná odolnost a 30 % lepší odvod tepla oproti HBM3E.
Podrobnosti
Paměti HBM (High Bandwidth Memory) slouží primárně k vysokorychlostnímu přenosu dat v grafických procesorech (GPU) a akcelerátorech pro datacentra, kde je klíčová vysoká propustnost a nízká latence. HBM4 představuje nástupce HBM3E a je navržena pro čipy jako nadcházející NVIDIA Vera Rubin nebo AMD Instinct MI450, které budou pohánět trénink velkých jazykových modelů (LLM) a jiné AI úlohy vyžadující obrovské množství paměti.
Samsung využil svůj šestý generation 10nm DRAM proces (označený 1c) v kombinaci s 4nm logickým procesem, což umožnilo stabilní výtěžnost výroby bez nutnosti dodatečných úprav designu. Konfigurace zahrnují 12-vrstvové stacky s kapacitou 24–36 GB a 16-vrstvové s 48 GB, přičemž rozhraní má 2048 pinů I/O. Tyto parametry zajišťují nejen vyšší rychlost – až 13 Gbps na pin oproti 9,6 Gbps u HBM3E – ale i výrazné zlepšení v energetické náročnosti o 40 % a tepelním managementu. Konkrétně je tepelná odolnost o 10 % lepší a odvod tepla o 30 % efektivnější než u předchozí generace, což je kritické pro hustě zabalené GPU v datacentrech, kde přehřívání omezuje výkon.
Samsung oznámil masovou produkci a dodávky komerčních vzorků, zatímco pokročilejší HBM4E plánuje na vzorkování v druhé polovině roku 2026. Tento krok přichází v době rostoucí poptávky po pamětech pro AI, kdy ceny DRAM a NAND vzrostly o více než 90 % v prvním čtvrtletí 2026 s očekávaným dalším nárůstem o 20 % ve druhém. Samsung tak získává konkurenční výhodu před SK Hynix a Micron, které zatím masovou výrobu HBM4 nespustily.
Proč je to důležité
HBM4 přímo ovlivní výkon AI systémů, protože vysoká propustnost paměti (3,3 TB/s) umožňuje rychlejší přístup k datům během tréninku modelů jako GPT nebo Llama, což snižuje čas výpočtů a energetickou spotřebu datacenter. V širším kontextu posiluje to dominanci NVIDIA a AMD v AI hardwaru, kde bottleneckem často bývá paměťová šířka pásma. Pro průmysl znamená nižší provozní náklady a vyšší škálovatelnost, což urychlí nasazení pokročilých AI aplikací v oborech jako autonomní jízda nebo vědecké simulace. Samsungova raná produkce může změnit dynamiku trhu, kde poptávka po HBM převyšuje nabídku, a donutí konkurenty k urychlení vývoje.
Zdroj: 📰 Wccftech